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BSB056N10NN3 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：83A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 50V; 功率_最大：78W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-WDSON; 供應商設備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包裝：Digi-Reel®

BSB056N10NN3 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：83A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 50V; 功率_最大：78W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-WDSON; 供應商設備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包裝：剪切帶 (CT)

BSB056N10NN3 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：83A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 50V; 功率_最大：78W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-WDSON; 供應商設備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包裝：帶卷 (TR)

BSB056N10NN3 G供應商

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